简历：

樊士钊，男，博士，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员。2011年于中国科学技术大学获电子工程与信息科学学士学位，2016年于McGill University获电子工程博士学位，2016年至2020年在University of Illinois at Urbana-Champaign (UIUC)开展博士后研究，博士、博士后期间主要从事III-V族化合物半导体材料的外延生长与光电子、微电子器件研究，先后负责多套分子束外延系统的拆卸、安装、运行、维护，包括两套Veeco GEN II MBE系统(适用于3英寸/4英寸晶圆衬底)和一套Veeco GENxplor dual-chamber MBE系统(适用于3英寸晶圆衬底)；发展了高性能的InGaN/Si光电催化产氢器件、GaAsP/Si二端口光伏器件。2020年入选中科院“率先行动”引才计划并通过择优选拔，2021年至2023年自主搭建完成了一套ScAlN材料MBE系统(适用于3英寸晶圆衬底)，围绕强极化第三代半导体材料ScAlN化合物的外延生长与微结构调控成立课题组。截止2023年发表论文30余篇，主持国家自然科学基金面上项目、中科院“率先行动”人才项目、江苏省“双创人才”项目、姑苏青年领军人才项目，参与中科院青年交叉团队项目。

课题组从事 III 族氮化物分子束外延生长与光电/功率射频/声电/铁电器件研究，具体包括以下三个研究方向：

(一) ScAlN/GaN异质结、N极性面AlGaN/GaN、的外延生长与功率射频 HEMT器件研究，其中包括含 Sc 势垒层的极化光学声子对二维电子气的散射机制研究(低温输运实验 + 理论计算)；

(二) “自底向上”选区外延 InGaN纳米柱周期阵列的外延生长与光子晶体Micro-LED等新型显示器件研究，其中包括光子晶体的色散关系、远场/近场设计、Purcell 效应等相关理论研究；

(三) 高Sc组分ScAlN单晶薄膜材料的外延生长与压电/声电/铁电器件研究，其中包括声子晶体的色散关系计算与ScAlN声电器件的理论设计研究。