研究方向

课题组主要研究III-V/III-N化合物半导体材料的MBE生长及相关器件的研制,具体包括:

1. 高效III-v族化合物半导体多结太阳电池,包括GaAs基/InP基双结电池、键合四结电池、柔性衬底电池等;

2. InGaAs红外探测器:APD和UTC等;

3. InP基共振隧穿二极管及太赫兹振荡器;

4. 高In组分InGaN材料的MBE生长及光伏器件。

5. 高质量AlGaN材料的MBE生长及紫外LED。