课题组组长
  • 董建荣  研究员   

    学习与科研经历:

    1985/9-1989/7,西安电子科技大学,半导体物理与器件,学士学位

    1989/9-1992/4,西安电子科技大学,半导体器件与微电子学,硕士学位

    1992/9-1996/1,中科院半导体所,半导体物理与半导体器件物理,博士

    1996/3-1997/8,中科院半导体研究所,助理研究员

     1997/9-2007/6,新加坡材料研究院(IMRE),Research Associate/Research Scientist

     2008/1-  至今 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,“百人计划”研究员,博士生导师。

    学术成果:

    1、主要集中于InP 和GaAs 基III-V族半导体光电子材料MOCVD生长、表征及器件研究,研制出了国际上第一支以叔丁基磷(TBP)作V族源用MOCVD生长的室温连续工作的670 nm AlGaInP 量子阱红光激光器, 腔面未镀反射膜的激光器的单端面输出功率达18 mW。

    2、用TBP和TBA生长了室温连续工作的808 nm InGaAsP/GaInP/AlGaInP有源区无铝的量子阱激光器、室温连续工作的 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器及1550 nm InGaAsP/InGaAsP量子阱DFB 激光器。

    3、曾负责中科院知识创新工程重要方向项目“全光谱高效低成本光学集成太阳电池系统研究”,作为骨干参加科技部973计划“基于纳米结构的宽光谱高效太阳能电池关键科学问题研究”项目。

    4、目前主要研究用MOCVD生长半导体多结太阳电池和半导体激光器的关键技术及器件,包括多结太阳电池和半导体激光器,在半绝缘GaAs衬底上研制的GaAs激光光伏电池在600mW 830nm激光照射下的转换效率达41%。在APL,JAP, JCG等杂志上发表SCI论文八十多篇,拥有三十多项发明专利。