课题组组长
  • 陆书龙,研究员

    2003年于中科院半导体研究所获得理学博士,在学期间于2002年-2003年赴香港科技大学物理系从事助理研究;2003年-2006年,2006-2008年分别在德国柏林Paul-Drude电子研究所以及日本早稻田大学应用物理系任博士后研究员和客员讲师;2008年加入中科院苏州纳米所;2011年评为研究员,所率领的科研团队被评为苏州纳米所优秀团队;2015年被评为中科院特聘研究员。

    主要从事III-V 族化合物半导体的MBE材料生长,物理分析以及器件研究,包括GaAs/InP 基多结太阳能电池、InGaAs红外探测器、共振隧穿二极管、III-N化合物材料的外延生长及器件研制等。近五年承担科技部973、国家自然科学基金、中科院知识创新工程及江苏省、苏州市等各类研究项目。在PRB,SOL ENERG MAT SOL C,APL及JAP等发表论文70余篇,申请中国专利34项,授权15余项,其中PCT专利2项。

                                                                           联系电话:0512-62872761                      E-mail:sllu2008@sinano.ac.cn