课题组负责人
  • 孙钱

    学习与科研经历

    2011年 至今,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所                研究员

    2010-2011年,美国硅谷普瑞光电公司                                               Epi R&D Scientist

    2009-2010年,美国耶鲁大学电子工程系                                           Associate Research Scientist

    2005-2009年,美国耶鲁大学                                                             博士

    2002-2005年,中国科学院半导体所                                                  硕士

    1999-2002年,中国科技大学                                                             学士

     

    获奖情况

    2016年 国家技术发明奖 一等奖(排名第4)

    2015年 中国电子学会优秀科技工作者

    2015年 国家自然科学基金优秀青年基金

    2012年 信息产业重大技术发明奖

    2012年 江苏省“双创”人才

    2011年 首批国家“青年千人计划”

    2010年 美国耶鲁大学工学院最高奖Henry Prentiss Becton Graduate Prize 第一名

    2009年 国家优秀自费留学生奖

     

    学术成果

            迄今为止共发表了60余篇被SCI收录的学术论文,总引用750余次。参与编写了英文专著一章,是20余项美国和中国发明专利的发明人,其中一项已许可给韩国首尔半导体Seoul Semiconductor公司量产LED。曾受国际氮化物会议ICNSIWNICMOVPEWLED-5China SSL 2013Semicon Taiwan LED 2014等国际会议邀请作特邀报告。此外,还应邀为Nano LettersNanotechnology Applied Physics Letters等多家国际学术期刊评审论文。目前为国家科技部863计划课题、国家自然科学基金重点项目、工信部电子信息产业发展基金项目、江苏省科技成果转化专项、江苏省科技支撑计划项目、及苏州市科技计划项目等的负责人。

           十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。

      1)在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间,在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaNLED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司,获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作,兼任公司硅衬底GaNLED研发副总裁,带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术,并在全球率先成功产业化,2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币(毛利率逾40%),打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。

      22015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器(氮化物半导体的另一种重要光电器件)的电注入室温连续激射,有望大幅降低GaN基激光器的制造成本,加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展,而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。

      3)在Si衬底氮化物电力电子方面,孙钱研究员的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V,并且通过P型栅实现了阈值电压为+2V的增强型电力电子器件,将推进我国第三代半导体电力电子器件的产业化进程。

     

    研究领域

    GaN基功率半导体电子器件、超高亮度LED、硅衬底上GaN材料的MOCVD外延生长及器件制备等

     

    承担项目

    《高效光电转换纳米材料和器件关键技术》

    《III族氮化物半导体材料与光电子器件》

    《Si基GaN增强型电力电子器件研究》

    《大尺寸硅衬底氮化镓基高功率LED外延片的研发及产业化》   等