博士后
  • 赵宇  博士

    2004年至2010年就读于哈尔滨工业大学材料学院,在赵连城院士课题组学习半导体材料分子束外延生长并参与含Sb化合物半导体相关研究,获得工学学士、硕士学位。2010年前往法国国家科学研究院 FOTON (CNRS UMR 6082) 实验室学习,并于2014年获得物理光电子学博士学位。攻读学位期间,主要从事InP基光通信波段材料外延生长基础研究,首次实现高应变InAs/AlAsSb量子阱的高质量外延生长。2015年加入扬州乾照光电有限公司从事GaAs基光电器件的研发工作。这期间主持了多项产品的原型开发与量产导入,相关成果得到多项国家专利授权并获批江苏省 “双创博士”计划支持。2017年加入中科院苏州纳米所黄勇课题组,从事锑化物超晶格红外探测器的实用化研究。

    主要研究领域:(1) 锑化物外延生长  (2) 超晶格红外探测器

     

     

     

    主要成果 

    • M. Xiong, M. Li, Y. Zhao et al.,Effect of the dimer structure on indium adsorption and diffusion on a GaSb surface, phys. stat. solid. RRL, 3, 257 (2009)  doi:10.1002/pssr.200903197
    • Y. Zhao et al., Volmer–Weber InAs quantum dot formation on InP (113)B substrates under the surfactant effect of Sb, Appl. Phys. Lett., 105, 033113 (2014)  doi:10.1063/1.4891505
    • Y. Zhao et al., Sb surfactant growth of InAs/AlAs0.56Sb0.44 strained quantum wells for inter-subband transition at 1.55 µm, Appl. Phys. Lett. 106, 081908 (2015). doi:10.1063/1.4913845
    • S. J.-C. Mauger, M. Bozkurt, P. M. Koenraad, Y. Zhao et al., An atomic scale study of surface termination and digital alloy growth in InGaAs/AlAsSb multi-quantum wells, J. Phys: Condens. Matt., 28, 284002 (2016) doi:10.1088/0953-8984/28/28/284002
    • Y. Huang et al., High-performance mid-wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors grown by production-scale metalorganic chemical vapor deposition, IEEE J. Quantum Electron., 53(5), 1-5 (2017) doi:10.1109/JQE.2017.2740121