课题组组长
  • 黄勇研究员:

    2002年获得清华大学材料系学士学位,2005获得中科院半导体研究所硕士学位,2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于IQE公司,任资深工艺工程师。2015年加入纳米所, 入选中科院“百人计划”。主要的学术成果包括成功实现了基于InAlGaAs/InP的长波长晶体管激光器的连续激射,实现了用MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器等。迄今在Appl. Phys. Lett.等国际学术期刊发表SCI论文40篇,其中第一作者18篇,总引用500余次,申请发明专利10篇。

    主要研究领域:(1)锑化物超晶格红外探测器;(2)MOCVD材料和器件生长;