课题组长
  • 黄勇研究员:

    2002年获得清华大学材料系学士学位,2005获得中科院半导体研究所硕士学位,2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于美国IQE公司,任资深工艺工程师。2015年加入纳米所, 入选中科院“百人计划”。主要的学术成果包括成功实现了基于InAlGaAs/InP的长波长晶体管激光器的连续激射,实现了用MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器。迄今在Appl. Phys. Lett.等国际学术期刊发表SCI论文39篇,其中第一作者18篇,总引用500余次,国际大会学术报告24次。

    主要研究领域:III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试等。