• 孙钱研究员邀请美国耶鲁大学Jung Han教授访问苏州纳米所
  • [2016-06-15]
  • 3月14日上午,应器件部孙钱研究员邀请,美国耶鲁大学Jung Han教授来苏州纳米所访问交流,并做了题为”New Directions in GaN Research at Yale University的学术报告。

    目前,GaN器件在光电子和微电子领域获得了很多学者的关注。Jung Han教授的报告与我们分享了耶鲁大学在GaN领域的研究进展和新的方向。主要内容有GaN紫外LED,MOCVD生长纳米线,wulff plots,选择性区域生长(及演化的选择区域生长),半极性和非极性面的GaN生长以及GaN的电化学腐蚀。重点介绍了近年来的工作,包括演化的选择区域生长,利用二氧化硅的掩膜隧道将三维的生长模式限制为一维,外延出高质量,低位错密度的GaN层;电化学腐蚀则是利用GaN材料不同区域的掺杂浓度和所加电压不同,腐蚀速率不同的特性,腐蚀出具有一定形状的结构;以及在蓝宝石上外延出半极性和非极性面的GaN。对大家在GaN外延过程中的研究提供了很多新的思路。

    Jung Han教授从2010年开始便担任耶鲁大学电气工程系主任,主要研究InGaN发光结构节能固态照明、纳米合成AlGaInN异质结作为新型光电和微电子结构等方面。2004年获得了R&D 100,2005年获得了MRS Ribbon Award , 2014年获得了 EMC best paper award,在同行评审期刊上发表了230多篇论文,总引用次数超过8600次,h指数为46。他还拥有8项美国专利,Saphlux公司也是基于他的发明。同时他还是CASE,IOP和IEEE的会员之一,在氮化物领域做出了很多实用型的成果。

     

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