GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽直接带隙、强原子键、高热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。       本课题组主要研究Si基GaN的材料生长与微电子器件，研究的主要方向有： 1. 高质量硅基GaN材料MOCVD外延生长； 2. 硅衬底GaN基光电子器件器件（激光器、发光二极管等）的研究； 3. 硅衬底GaN基电子器件（高电子迁移率晶体管、二极管等）的研究。