更多>> 课题组简介
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽直接带隙、强原子键、高热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 通常,GaN材料的生长采用的是异质外延(Hetero-epitaxy),外延衬底有蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)和硅(Silicon)。本课题组研究的主要方向有: 1. 硅衬底上采用MOCVD方法生长GaN的外延机制,解决生长过程中产生的一系列问题。 2. 硅衬底GaN基功率半导体器件(Power electronic device)、光电子器件、LED等器件制备。