本课题组致力于III-V半导体MOCVD材料生长和新型光电子器件的研究和产业化发展。涉及方向包括MOCVD外延生长，半导体材料表征，光电子器件制备，器件测试与分析等。 目前在研方向是锑化物红外探测器的MOCVD生长与焦平面探测器制备。