III-V族化合物半导体具有饱和速度高、能带易剪裁、带隙宽等特性，在超高频、大功率、高效率等方面表现出优越的性能，因此，化合物半导体电子器件已经成为发展信息大容量传输和高速处理、获取的重要器件。 基于该体系的核心芯片以其高性能、多功能、集成化的优势在各类信息系统中发挥着关键作用，是近年来兴起的研究热点。本课题组致力于MOCVD材料生长技术和InP基与GaAs基激光器、激光光伏电池、高效III-V族化合物半导体多结太阳电池和探测器的研究。从高质量材料的MOCVD制备及表征、器件的结构设计和验证及器件加工工艺技术等方面开展深入细致的研究，旨在实现光电的高效转换，促进清洁可再生能源利用技术的推广普及。