更多>> 课题组简介
氮化镓(GaN)基半导体材料被称为第三代宽禁带半导体材料,其成员包括氮化铟(InN,Eg =0.7 eV)、氮化镓(GaN,Eg =3.4 eV)和氮化铝(AlN,Eg =6.2eV)及其合金化合物。 通过对组分的调控,室温下 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1,0≤x+y≤1)四元合金化合物的禁带宽度在0.7 eV~6.2 eV的范围内连续可调,对应的光谱范围覆盖了紫外到近红外的宽广波段,因而在光电子器件领域具有广泛的应用,可以用来制备太阳能电池以及发光二极管(LED)与激光器(LD)等。 GaN 基激光器具有重要的科学研究意义与广阔的市场应用前景。它们可应用于激光存储、激光制版打印、激光电视和激光投影、汽车头灯照明等领域。同时GaN基激光器发展有别于常规的态势:即市场发展领先技术发展,技术应用领先于基础研究。一些基本特性仍然未被充分认识,一些表观特性后隐藏的内部物理机制尚未被揭示;诸多重要问题没有被完全研究需要广大科研工作者进行更深入的研究。 本课题组的主要研究方向有:  1. GaN基激光器的材料生长、器件制备和器件物理 2. GaN基蓝光激光器和绿光激光器