董建荣    研究员 

1996年2月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件博士学位；1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所工作，从事MBE生长GaAs基HEMT及InAs/GaAs研究。1997年9月至2007年5月，在新加坡科技局材料研究院担任Research Scientist，研究工作主要集中于MOCVD 生长InP 和GaAs 基III-V 光电材料及器件，在APL, JAP, JCG等发表文章30余篇。目前从事高效光学集成的太阳电池研究。