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董建荣    研究员 中科院“百人计划”

1996年2月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件博士学位;1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所工作,从事MBE生长GaAs基HEMT及InAs/GaAs研究。1997年9月至2007年5月,在新加坡科技局材料研究院担任Research Scientist,研究工作主要集中于MOCVD 生长InP 和GaAs 基III-V 光电材料及器件,在APL, JAP, JCG等发表文章30余篇。目前从事高效光学集成的太阳电池研究。

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